Microchip lance des modules d’alimentation mSiC® HV‑D3 3,3 kV pour activer les transformateurs à semi-conducteurs pour les centres de données IA

CHANDLER, Arizona, 26 mai 2026 — Microchip Technology (Nasdaq : MCHP) annonce aujourd’hui la disponibilité de ses nouveaux modules d’alimentation mSiC® HV-D3 3,3 kV, conçus pour simplifier et accélérer l’adoption de transformateurs à semi-conducteurs (SST) dans les centres de données hyperscale IA et autres applications d’alimentation haute tension. Les nouveaux modules intègrent des MOSFET mSiC® en carbure de silicium (SiC) de 3,3 kV et des diodes Schottky dans un boîtier standard de 62 mm, permettant une alimentation efficace du réseau moyenne tension directement au rack du serveur.

À mesure que les centres de données IA continuent d’évoluer, la génération de jetons est limitée par la disponibilité de l’énergie, tandis que l’efficacité est un facteur déterminant du retour sur investissement. Les architectures traditionnelles basées sur des transformateurs basse fréquence volumineux ajoutent de la complexité, augmentent les pertes et limitent la flexibilité. Les transformateurs à semi-conducteurs représentent un changement fondamental dans la fourniture d’énergie, réduisant les étapes de conversion et permettant une plus grande efficacité du système. L’évolution de l’industrie vers la distribution de racks CC à plus haute tension dans les installations d’IA de nouvelle génération amplifie encore la valeur des SST, qui sont destinés à fournir du courant continu régulé directement à partir du réseau moyenne tension avec moins d’étapes de conversion.

Les modules mSiC HV‑D3 de Microchip sont spécialement conçus pour répondre à ces exigences. Les modules utilisent la technologie mSiC MOSFET de Microchip, qui offre une stabilité RDS(on) en température très compétitive, avec un boîtier prenant en charge une isolation de 6 kV, intègre des matériaux classés CTI 600 et présente des lignes de fuite étendues, conçues pour permettre une connexion en série sécurisée pour un fonctionnement haute tension. Un substrat en nitrure de silicium (Si₃N₄) offre une conductivité thermique et une capacité de cycle d’alimentation améliorées, aidant les concepteurs à atteindre une densité de puissance plus élevée avec un refroidissement moins agressif.

« Alors que les centres de données d’IA continuent de repousser les limites en matière d’alimentation électrique du réseau vers le GPU, le besoin de transformateurs à semi-conducteurs devient de plus en plus important », a déclaré Clayton Pillion, vice-président de l’unité commerciale de solutions haute puissance de Microchip. « Nos modules d’alimentation mSiC HV-D3 de 3,3 kV permettent aux concepteurs de réduire le nombre d’appareils connectés en série d’environ la moitié par rapport aux alternatives SiC à basse tension lors de l’interface avec des réseaux de 13,8 kV ou 34,5 kV. Les appareils comblent également une lacune clé sur le marché industriel des produits de 100 à 300 A, en reliant les appareils SiC discrets et les modules d’alimentation beaucoup plus grands. »

Les modules d’alimentation mSiC HV‑D3 sont disponibles en configurations demi-pont et source commune, avec et sans diodes Schottky antiparallèles, pour les applications dans la gamme 100-300 A. La technologie mSiC MOSFET de Microchip offre des pertes de commutation équilibrées pour les topologies à commutation matérielle et logicielle, ce qui rend les dispositifs bien adaptés aux conceptions SST et à d’autres systèmes haute fréquence et haute tension.

Bien qu’optimisés pour les transformateurs à semi-conducteurs dans les centres de données IA, les modules d’alimentation mSiC HV‑D3 répondent également à un large éventail d’applications, notamment les infrastructures de charge mégawatts pour les véhicules lourds, les alimentations auxiliaires pour les transports ferroviaires/lourds, les entraînements de moteurs moyenne tension, les systèmes électriques industriels et de défense. Ces marchés bénéficient de la même combinaison d’isolation élevée, de robustesse thermique et de conversion d’énergie efficace.

Microchip possède plus de 20 ans d’expérience dans le développement, la conception, la fabrication et le support de dispositifs SiC et de solutions d’alimentation, pour aider les clients à adopter le SiC avec facilité, rapidité et confiance. Les produits et solutions mSiC de la société sont conçus pour réduire les coûts du système, accélérer la mise sur le marché et réduire les risques. Microchip propose une gamme large et flexible de diodes SiC, de MOSFET et de pilotes de grille. Pour plus d’informations, visitez www.microchip.com/sic.

Outils de développement

Les modules d’alimentation de 3,3 kV sont pris en charge par une note d’application, un guide de conception, des modèles de dispositif et de simulation pour un prototypage rapide. De plus, Microchip fournit une assistance technique mondiale, des services de conception et une assistance technique pour les applications sur le terrain.

Prix ​​et disponibilité

Les modules d’alimentation mSiC 3,3 kV sont disponibles à l’achat en quantités de production. Vous pouvez acheter directement auprès de Microchip ou contacter un représentant commercial Microchip ou un distributeur mondial agréé.

Source : Communiqué de presse

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