Les transistors bipolaires NPN et PNP VCE(sat) ultra-faibles de Diodes Incorporated maximisent la densité de puissance et l’efficacité dans les conceptions automobiles compactes

Diodes Expands Automotive Bipolar Transistor Portfolio

Diodes Incorporated (Diodes) (Nasdaq : DIOD) annonce aujourd’hui une expansion de sa gamme de transistors bipolaires conformes aux normes automobiles* avec l’introduction des séries DXTN/P 78Q et 80Q. Ces transistors NPN et PNP VCE(sat) ultra-faibles offrent une efficacité de conduction et des performances thermiques de pointe, optimisées pour la commutation et le contrôle de puissance automobile exigeants.

Les douze appareils hautes performances prennent en charge une large plage de tension, ce qui les rend adaptés aux systèmes automobiles 12 V, 24 V et 48 V. Ils sont idéaux pour piloter des MOSFET et des IGBT, pour la commutation de lignes électriques et de charges, pour la régulation de tension à faible chute (LDO), pour la conversion CC-CC et pour piloter des moteurs, des solénoïdes, des relais et des actionneurs. Conçus pour un fonctionnement continu jusqu’à +175°C et offrant une robustesse ESD élevée (HBM 4kV, CDM 1kV), ils assurent un fonctionnement fiable dans les environnements automobiles difficiles.

Logés dans le boîtier ultra-compact PowerDI®3333-8 (seulement 3,3 mm x 3,3 mm), ces dispositifs réduisent l’encombrement du PCB jusqu’à 75 % par rapport au SOT223 traditionnel, libérant ainsi de l’espace pour des fonctionnalités supplémentaires. Un grand dissipateur thermique inférieur offre une résistance thermique ultra faible (RθJL) de 4,2°C/W. La fonction de plaquage des parois latérales (SWP) améliore la visibilité de l’inspection optique automatisée (AOI) et renforce les joints de soudure. Cela améliore l’assurance qualité, réduit les inspections manuelles et permet une fabrication efficace et fiable.

Les deux séries couvrent les valeurs BVCEO de 30 V à 100 V et offrent une gestion robuste du courant. La série DXTN/P 80Q offre une marge supplémentaire pour les conceptions exigeantes, avec des valeurs nominales continues jusqu’à 10 A et une capacité d’impulsion de crête de 20 A. Une tension de saturation ultra-faible (seulement 17 mV à 1 A) et une résistance à l’état passant aussi faible que 12 mΩ minimisent les pertes de conduction, permettant un fonctionnement plus froid et une efficacité plus élevée. Cela aide les concepteurs à réduire les pertes de conduction jusqu’à 50 % par rapport aux générations précédentes, réduisant ainsi la chaleur et facilitant la gestion thermique.

La série DXTN/P 78Q est désormais disponible entre 0,19 $ et 0,21 $, et le DXTN/P 80Q est disponible entre 0,20 $ et 0,22 $ ; tous deux en quantités de 6 000 pièces. Des versions conformes aux normes, les séries DXTN/P 78 et 80, sont également disponibles et adaptées aux applications industrielles et commerciales.

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