Munich, Allemagne – 20 mai 2026 – Infineon Technologies AG (FSE : IFX / OTCQX : IFNNY) étend sa famille de commutateurs bidirectionnels (BDS) CoolGaN™ BDS 40 V G3 avec deux nouveaux dispositifs, les IGK048B041S et IGK120B041S. Les nouveaux ajouts réduisent l’empreinte des PCB jusqu’à 82 % et réduisent de moitié le nombre de composants. Pour les ingénieurs qui conçoivent dans le cadre des contraintes spatiales strictes des smartphones, ordinateurs portables et appareils portables modernes, il s’agit d’une avancée significative et quantifiable. Ciblant les appareils grand public compacts, les nouveaux appareils offrent aux concepteurs de systèmes électriques une plus grande flexibilité pour optimiser l’efficacité et rationaliser les conceptions sans sacrifier les performances.
« Alors que les appareils grand public continuent de diminuer tandis que les demandes d’énergie augmentent, les ingénieurs sont confrontés à une pression croissante pour fournir plus avec moins. Les nouveaux appareils CoolGaN BDS répondent directement à ce défi », a déclaré Johannes Schoiswohl, responsable de la ligne commerciale GaN chez Infineon. « Chaque dispositif intègre la fonction de deux MOSFET en silicium dos à dos dans un seul composant, réduisant de moitié le nombre de composants et simplifiant les configurations de circuits imprimés. Les équipes de conception peuvent tirer parti de la configuration des pilotes existante, évitant ainsi des refontes coûteuses et accélérant les délais de mise sur le marché. Le résultat est un chemin d’alimentation plus simple et plus rentable. »
Le BDS, comme les autres appareils GaN, est compatible avec les commandes de grille 5 V. Proposés dans des boîtiers à l’échelle d’une puce WLCSP mesurant 2,1 x 2,1 mm² et 1,7 x 1,2 mm², les IGK048B041S et IGK120B041S sont conçus pour les contraintes spatiales strictes des smartphones, ordinateurs portables et appareils portables. Le plus grand dispositif GaN atteint 4,2 mΩ RDD (on), tandis que le plus petit appareil fournit 9 mΩ RDD (on). Les appareils CoolGaN BDS se distinguent en outre par des performances de commutation et de fuite supérieures. La charge de porte est jusqu’à environ 40 % inférieure à celle des appareils concurrents comparables. Une charge de grille inférieure se traduit directement par des transitions de commutation plus rapides, des pertes de commutation réduites et une efficacité système améliorée dans les applications de charge rapide. De plus, le courant de fuite drain-drain est inférieur de plus de 85 % à celui des solutions concurrentes, soulignant les avantages inhérents en matière de fuite de la technologie GaN. Ensemble, ces caractéristiques réduisent l’échauffement, garantissant une fiabilité à long terme et aidant les fabricants à répondre à des exigences de sécurité de plus en plus strictes.
Contrairement aux MOSFET au silicium, qui reposent sur une diode corporelle capable de permettre un flux de courant involontaire, les dispositifs CoolGaN BDS permettent un blocage bidirectionnel de tension et de courant. Cette véritable capacité de blocage bidirectionnel est essentielle pour les applications telles que la protection contre les surtensions USB dans les smartphones et les appareils portables, où la prévention des courants inverses indésirables est essentielle pour protéger les composants sensibles en aval. Les dispositifs sont également bien adaptés aux fonctions de commutation de charge et de multiplexage de puissance dans les architectures électriques multi-rails, où un contrôle précis de la direction du courant sur plusieurs rails d’alimentation est requis.
Avec l’ajout de ces deux appareils, la famille Infineon CoolGaN BDS 40 V G3 comprend désormais trois appareils – le IGK048B041S, l’IGK120B041S et le IGK080B041S précédemment publié – répondant à l’ensemble des exigences de commutation d’alimentation mobile, des appareils portables compacts aux ordinateurs portables hautes performances.
Infineon dispose d’un portefeuille solide avec plus de 40 annonces de nouveaux produits GaN au cours de l’année dernière et constitue un partenaire privilégié pour les clients à la recherche de solutions GaN de haute qualité. La société est sur la bonne voie dans la mise en œuvre de la fabrication évolutive de GaN sur des tranches de 300 millimètres, les premiers échantillons étant déjà expédiés aux clients. Le GaN de 300 mm permet une capacité de production plus élevée et une livraison plus rapide de produits GaN de haute qualité, ce qui renforce encore la position d’Infineon sur le marché du GaN.
Disponibilité
Les IGK048B041S et IGK120B041S sont désormais disponibles via les canaux de distribution agréés d’Infineon. Des informations détaillées sur les produits, des fiches techniques et des options de commande sont disponibles ici.
Source : Communiqué de presse
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